連理工大學黃輝教授團隊研發(fā)的無漏電流“納米線橋接生長技術”，，解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩(wěn)定性問題，制備出高可靠性（8個月電阻變化率<0.8%）、低功耗（可室溫工作）及高靈敏度（NO2檢測限0.5ppb）的GaN納米線氣體傳感器，該傳感器可推廣至生物檢測以及應力應變檢測等，實驗結果發(fā)表在國際納米領域頂級期刊“Nano Letters” 上。
目前，半導體集成電路芯片（IC）的迅速發(fā)展，推動了物聯(lián)網(wǎng)和人工智能產(chǎn)業(yè)的興起。如果將IC與人腦進行比較，傳感器就相當于人類的感覺器官，它們是相互依賴的。然而，傳感器（尤其是可以集成的微納米傳感器）的發(fā)展遠遠落后于集成電路的發(fā)展水平。因此，微納傳感器（或傳感芯片）將成為繼IC產(chǎn)業(yè)之后的另一個主要產(chǎn)業(yè)。
黃輝團隊首次研究了納米線橋接生長中的寄生沉積效應，發(fā)明了氣流遮擋效應與表面鈍化效應的生長方法，解決了寄生沉積問題。并首次實現(xiàn)了“無漏電流”的GaN橋接納米線，在此基礎上，研制了一種高穩(wěn)定性、低功耗、高靈敏度的集成納米線氣體傳感器。尤其是GaN材料是第三代半導體材料，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性、耐高溫性、抗氧化性、耐酸堿腐蝕性和生物相容性，適用于惡劣環(huán)境下的應力應變和液氣樣品檢測，應用領域非常廣泛。這項技術將推動傳感芯片的發(fā)展。
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