連理工大學(xué)黃輝教授團(tuán)隊(duì)研發(fā)的無(wú)漏電流“納米線橋接生長(zhǎng)技術(shù)”，，解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩(wěn)定性問(wèn)題，制備出高可靠性（8個(gè)月電阻變化率<0.8%）、低功耗（可室溫工作）及高靈敏度（NO2檢測(cè)限0.5ppb）的GaN納米線氣體傳感器，該傳感器可推廣至生物檢測(cè)以及應(yīng)力應(yīng)變檢測(cè)等，實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)表在國(guó)際納米領(lǐng)域頂級(jí)期刊“Nano Letters” 上。
目前，半導(dǎo)體集成電路芯片（IC）的迅速發(fā)展，推動(dòng)了物聯(lián)網(wǎng)和人工智能產(chǎn)業(yè)的興起。如果將IC與人腦進(jìn)行比較，傳感器就相當(dāng)于人類的感覺(jué)器官，它們是相互依賴的。然而，傳感器（尤其是可以集成的微納米傳感器）的發(fā)展遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于集成電路的發(fā)展水平。因此，微納傳感器（或傳感芯片）將成為繼IC產(chǎn)業(yè)之后的另一個(gè)主要產(chǎn)業(yè)。
黃輝團(tuán)隊(duì)首次研究了納米線橋接生長(zhǎng)中的寄生沉積效應(yīng)，發(fā)明了氣流遮擋效應(yīng)與表面鈍化效應(yīng)的生長(zhǎng)方法，解決了寄生沉積問(wèn)題。并首次實(shí)現(xiàn)了“無(wú)漏電流”的GaN橋接納米線，在此基礎(chǔ)上，研制了一種高穩(wěn)定性、低功耗、高靈敏度的集成納米線氣體傳感器。尤其是GaN材料是第三代半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性、耐高溫性、抗氧化性、耐酸堿腐蝕性和生物相容性，適用于惡劣環(huán)境下的應(yīng)力應(yīng)變和液氣樣品檢測(cè)，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。這項(xiàng)技術(shù)將推動(dòng)傳感芯片的發(fā)展。
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